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Samsung Electronics Co., Ltd., das weltweit führende Unternehmen in fortschrittlicher Speichertechnologie, gab heute bekannt, dass es die industrieweit kleinsten 2-Gb-DDR3-Speicher als Muster zur Verfügung stellt. Durch Einsatz der 50-Nanometer-Schaltkreistechnik ist die Produktivität der neuen Speicher 60 % höher als bei DDR2-Speichern mit vergleichbarer Speicherdichte. Die neuen 2-Gb-Module auf DDR3-Basis, die den Einsatz von bis zu 16-Gigabyte(GB)-RIMMs (registered in-line memory modules) ermöglichen, sparen über 40 % der Leistungsaufnahme von 1-Gb-DDR3-Speichermodulen.

"Mit unseren neuen 2-Gb-DDR3-Komponenten bietet Samsung die perfekte Lösung für Konstrukteure. Unser Ziel war die Maximierung von Dichte und Energieeinsparung", sagte Gerd Schauss, Direktor für Halbleiter-Speichermarketing bei Samsung Semiconductor Europe.

Der kleine Formfaktor des neuen Speichers ermöglicht die Verwendung von Speicherchips von bis zu 8 GB für RIMMs (registered in-line memory modules) sowie 4 GB für SODIMMs (small outline dual in-line memory modules) und UDIMMs (unregistered in-line memory modules), ohne die Notwendigkeit, Komponenten stapeln zu müssen. Zusätzlich können 2-Gb-DDR3-RIMMs genutzt werden, um mithilfe von sogenannten Dual-Die-Packages 16-GB-Module herzustellen.

Die monolithischen 2-Gb-Chips bieten energieeffiziente Lösungen für leistungsstarke Speicheranwendungen mit hohem Speicherbedarf. Der 2-Gb-Chip ersetzt sogenannte Dual-Chip-Lösungen mit zwei 1-Gb-Speichern und reduziert die Leistungsaufnahme um mindestens 40 %, ein entscheidender Vorteil für Server-Anwendungen sowie für Desktop PCs und Notebooks der nächsten Generation. Der 2-Gb-Speicher unterstützt eine Übertragungsrate von bis zu 1,3 Gigabit pro Sekunde (Gbps) bei 1,5 oder 1,35 V, das ist bis zu 1,6 mal schneller als bei einem 1-Gb-Dual-Die-Package mit 800 Mbps. Zusätzlich sorgt die geringere Zahl von DDR3-Chips für eine geringere Wärmeentwicklung.

Das 50-Nanometer-Verfahren für die Herstellung von 2-Gb-DDR3-Speichern von Samsung wird voraussichtlich Samsungs bevorzugte Prozesstechnologie bei der Herstellung von DRAM Speichern im kommenden Jahr sein. Die Massenfertigung soll Ende des Jahres beginnen.

Samsungs Erfahrung bei der Innovation von DRAM-Technologien reicht von der Einführung der 150-Nanometer-DRAM-Technologie im Jahr 2000 bis zur Massenfertigung von 1-Gb-DDR2-Speichern mit 50-Nanometer-Prozesstechnologie im April dieses Jahres.

Nach Angaben des Marktforschungsunternehmens IDC werden DDR3-Speicher voraussichtlich 29 % des gesamten DRAM-Marktes abdecken, was die Anzahl verkaufter Einheiten betrifft, und bis 2011 einen Marktanteil von 72 % erreichen. Außerdem wird das Segment der 2-Gb-Speicher voraussichtlich von 3 % im Jahr 2009 auf 33 % im Jahr 2011 wachsen.
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