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2-Gigabit DDR3-Speicher

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Samsung Electronics Co., Ltd., das weltweit führende Unternehmen in fortschrittlicher Speichertechnologie, gab heute bekannt, dass es die industrieweit kleinsten 2-Gb-DDR3-Speicher als Muster zur Ver

Samsung und Hynix Semiconductor kooperieren bei MRAM

Südkorea will die Konkurrenzfähigkeit seiner Halbleiterindustrie neu ausrichten und weiterentwickeln. Die Regierung hat einen Entwicklungsplan für Speicher der nächsten Generation vorgestellt.

MRAM Geschwindigkeitsrekord durch deutsche Forscher

Deutsche Forscher haben die bisher schnellste magnetische Speicherzelle hergestellt.

Neue Nand Flash-Speicher werden 10.000-mal langlebiger

Eine neue Technologie ermöglicht die weitere Miniaturisierung auf bis zu zehn Nanometer. Die neuen NAND-Flashs sollen über 100 Mio. Schreib-Lese-Zyklen überstehen.

Toshiba zeigt NAND-Flash-Module mit 32 GByte Kapazität

32 Gigabyte NAND Flash Module sind neu, und wurden von Toshiba vorgestellt. Es handelt sich um NAND Moule mit der derzeit hoechsten Speicherdichte am Markt.

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