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2-Gigabit DDR3-Speicher
Posted October 1st, 2008 by adminSamsung Electronics Co., Ltd., das weltweit führende Unternehmen in fortschrittlicher Speichertechnologie, gab heute bekannt, dass es die industrieweit kleinsten 2-Gb-DDR3-Speicher als Muster zur Ver
Samsung und Hynix Semiconductor kooperieren bei MRAM
Posted September 15th, 2008 by adminSüdkorea will die Konkurrenzfähigkeit seiner Halbleiterindustrie neu ausrichten und weiterentwickeln. Die Regierung hat einen Entwicklungsplan für Speicher der nächsten Generation vorgestellt.
MRAM Geschwindigkeitsrekord durch deutsche Forscher
Posted August 19th, 2008 by adminDeutsche Forscher haben die bisher schnellste magnetische Speicherzelle hergestellt.
Neue Nand Flash-Speicher werden 10.000-mal langlebiger
Posted August 9th, 2008 by adminEine neue Technologie ermöglicht die weitere Miniaturisierung auf bis zu zehn Nanometer. Die neuen NAND-Flashs sollen über 100 Mio. Schreib-Lese-Zyklen überstehen.
Toshiba zeigt NAND-Flash-Module mit 32 GByte Kapazität
Posted August 9th, 2008 by admin32 Gigabyte NAND Flash Module sind neu, und wurden von Toshiba vorgestellt. Es handelt sich um NAND Moule mit der derzeit hoechsten Speicherdichte am Markt.
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