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Forscher könnten in multiferroischen Materialien den Heiligen Gral auf der Suche nach dem ultimativen Speicher gefunden haben
Angenommen, jedes Bit in einem Speicherchip könnte vier statt wie gewohnt zwei Zustände einnehmen. Dann müsste man nicht nur die Definition des Begriffes Bit ändern - man könnte auch auf gleichem Raum exponentiell mehr Daten speichern. Statt nur 256 Werte könnte ein "Viererbit-Byte" gleich derer 65536 unterbringen. Diesem ultimativen Speicher ist die Forschung jetzt ein Stück näher gekommen, und zwar mit Hilfe von so genannten multiferroischen Stoffen. Dabei handelt es sich um Materialien, die zwei ferroische Effekte kombinieren.
Auch MRAM-Speicher sind nicht flüchtig. Sie nutzen den Spin winziger magnetischer Domänen als Speicherelement, der sich durch ein äußeres Magnetfeld umschalten lässt. Auch MRAM-Chips kann man im Prinzip heute schon kaufen - "im Prinzip", weil sie noch keine Kosten- oder Nutzungsvorteile gegenüber konventionellen Techniken bieten. Klarer wären die Vorteile bei den Speichern, die das Forscherteam nun in Nature Materials vorschlägt. Sie arbeiten mit geringstem Stromverbrauch und lassen sich komplett magnetisch (und zerstörungsfrei) auslesen. Als Grundlage verwenden die Forscher dünnste Schichten des Lanthan-Wismut-Mangan-Oxids La0.1Bi0.9MnO3 (kurz "LBMO" genannt). Diese behalten ihre multiferroischen Eigenschaften bis zu einer Schichtdicke von zwei Nanometern.
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