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Schneller, kleiner und weniger stromhungrig sollen künftige Speicherchips dank so genannter "Through Silicon Via" (TSV) werden, verspricht Samsung. Mit den direkten Verbindungen des Siliziums lassen sich mehrere Chips in einem Gehäuse stapeln. Samsung setzt auf ein DDR2-Modul, das aus vier DRAM-Chips mit je 512 MBit Kapazität besteht, die in einem "Wafer-Level-Processed Stacked Package" (WSP) untergebracht sind. Aus diesen Paketen mit je 2 GBit Kapazität lassen sich dann DIMMs mit insgesamt 4 GByte bauen.
via golem