NEWS
Halbleiterentwicklerkonferenz ISSCC ueber FeRAM, MRAM, PRAM/PCRAM und RRAM/ReRAM
ie Halbleiterentwicklerkonferenz ISSCC gibt auch einen Überblick über den Stand der Forschung bei innovativen Speicherzellen. In diesem Jahr drehen sich einige Vorträge um die bereits seit einigen Jahren in der Entwicklung befindlichen Typen FeRAM, MRAM, PRAM/PCRAM und RRAM/ReRAM.
NEC stellt ein 32-MBit-MRAM mit zwei Transistoren (T) und einer Magnetic Tunnel Junction (MTJ) pro Zelle vor (2T1MTJ), das bei 90-nm-Fertigung auf ein Die mit 91 Quadratmillimetern Fläche passt. Die Zugriffszeit soll 12 Nanosekunden betragen. Das 32-MBit-MRAM speichert immerhin doppelt soviel wie das bisher größte Serienprodukt der von Freescale (Ex-Motorola) abgespaltenen MRAM-Sparte Everspin. Die 1- und 4-MBit-MRAMs von Everspin gibt es nun auch in BGA-Gehäusen für Consumer-Produkte; diese MRAMs dienen vorrangig als Ersatz von batteriegepuffertem SRAM und kosten in großen Stückzahlen rund 8 beziehungsweise 14 US-Dollar pro Stück (1/4 MBit).
Die Chip-Hersteller auf der ISSCC diskutieren bereits, wie gut sich neue Speichertypen wie FeRAM, MRAM, PRAM oder RRAM für SSDs eignen.via heise.de
- admin's blog
- Login or register to post comments
- Stumble
MRAM|SSD|Speicher News und Infos