MRAM|SSD|Speicher News und Infos

In einem Interview spricht Dr. Axel Köster von IBM Executive Briefing Center Mainz ueber MRAM
Was halten Sie von MRAMs als Speicherzelle?
Die Zugriffszeiten sehen göttlich aus. Die neuesten Zahlen von zwei Nanosekunden Zugriffszeit sind ein Traum in der IT. Ich habe zu den Leuten, die bei uns magnetische RAMs erforschen, einen guten Kontakt. Die sind auf einen tollen Trick verfallen, um eine hemmende Einschränkung zu umgehen: MRAMs speichern Daten in einer Matrix von magnetisierbaren Tunneldioden. Bisher mussten sie im Vergleich zum Lesen mit sehr hohen Strömen beschrieben werden.

Und hohe Ströme auf kleinem Raum heißt immer, man kann nicht hoch integrieren und schnelle Taktflanken würden große Abwärme produzieren. Seit neuestem arbeiten die MRAM-Entwickler mit Spin-polarisierten Strömen: Die Schreibströme bestehen also schon aus prä-polarisierten Elektronen. Durch diesen Trick reicht offenbar schon ein ziemlich kleiner Strom aus, um die Tunneldioden zu magnetisieren und somit Daten zu schreiben.

Wann könnten MRAMs einsetzbar sein?
Das lässt sich schwer vorhersehen. Schauen Sie auf die Flash-RAMs. Da haben sich die Protagonisten auch vollständig vertan. Vom ersten EEPROM (elektrisch löschbarer Programmierspeicher, die Red.) bis zum Flash-Drive für jedermann sind Jahrzehnte vergangen. Möglicherweise bereitet Flash-Memory den Markt für nicht-flüchtigen RAM vor. Jetzt gilt es erst mal in der Praxis zu überprüfen, sind Halbleiterspeicher im Rechenzentrumsalltag zuverlässig? Ist das sichergestellt, dann werden es neue Halbleiterspeicher wesentlich einfacher haben.

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