MRAM|SSD|Speicher News und Infos

Ein auf vier Jahre angelegtes gemeinsames Forschungsprogramm von IBM und TDK soll die Entwicklung von MRAM (Magnetic Random Acces Memory) voranbringen. Unter Nutzung des Spin-Momentum-Transfer-Effekts wollen die beiden Firmen dabei MRAM-Speicher mit weitaus höheren Speicherdichten als bisher entwickeln.

IBM hat mit MRAM bereits reichlich Forschungserfahrung und hat beispielsweise ein Verfahren namens Magnetic Tunnel Junction (MTJ) entwickelt. TDK ist spezialisiert auf magnetische Band- und Plattenspeicher und verfügt über wichtiges Know-how bei Schreib/Lese-Köpfen. IBMs Forschungszentren in Yorktown Heights und San Jose/Almaden sowie das ASIC Design Center in Burlington werden nun über die nächsten vier Jahre mit TDKs Forschungslabor in Milpitas zusammenarbeiten. Ziel ist ein Produkt mit Strukturdimensionen von 65 nm.Bisher sei ein Erfolg von MRAM vor allem daran gescheitert, dass es nicht gelungen sei, die Speicherdichte zu steigern. Mit der Spin-Momentum-Transfer-Technik wollen IBM und TDK nun die Größe der MRAM-Speicherzellen verkleinern und so die Speicherdichte erhöhen, ohne dabei die Vorteile von MRAM zu verlieren.
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