MRAM|SSD|Speicher News und InfosNEWS
MRAM Aufbau
Eine magnetische Speicherzelle besteht im Prinzip aus zwei magnetisierten Schichten, die durch eine isolierende Zwischenschicht mit einer Dicke von nur wenigen Atomlagen getrennt sind. Die magnetischen Felder in den beiden Schichten können sich sowohl gleichartig als auch entgegengesetzt orientieren, womit sich binäre Informationen darstellen lassen.
Die isolierende Barriere zwischen den Magnetschichten ist so dünn, daß nach Anlegen einer Spannung einige Elektronen hindurchgelangen können - es fließt ein sogenannter Tunnelstrom. Die Stärke des Tunnelstroms hängt dabei von der Orientierung der Magnetfelder zueinander ab. Durch diesen Tunnel-Magnet-Widerstand (TMR, Tunneling Magneto Resistance) genannten Effekt lassen sich die Daten aus dem TMR auszulesen, ohne das dessen Speicherzustand verändert wird.
Beschrieben wird der Speicher, indem man durch Anlegen eines elektrischen Stromes die Magnetisierungsrichtung der sogenannten "weichen" Magnetschicht ändert.
