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Deutsche Forscher haben die bisher schnellste magnetische Speicherzelle hergestellt. Sie arbeitet genau so schnell wie ihre "flüchtigen" elektrischen Vorbilder, hat aber einen Speicher mit "Gedächtnis".

MRAM bedeutet Magneto-resistive Random Access Memory und ist eine kleine Revolution in der Speichertechnik. MRAM Speicher sind Bausteine die nicht-flüchtig, schnell, stromsparend sind und hohe Integrationsdichte erreichen können.

Die deutschen Physiker verhelfen nun der fast aufgebenenen Technologie von schnellen Magnetspeichern MRAM zu einer Renaissance. Sie schalteten über Kreiselbewegungen der Magnetisierung eine Speicherzelle in weniger als einer millionstel Millisekunde. Damit könnten MRAM-Module damit mit den schnellen Schaltprozessen von elektronischen Arbeitsspeichern auf Siliziumbasis konkurrieren, berichten die Forscher in einem zur Veröffentlichung akzeptierten Artikel für die Fachzeitschrift "Physical Review Letters".

Die neueste Generation der MRAM basiert auf dem sogenannten Spin-Torque-Effekt. Damit kann man die Richtung der Magnetisierung der Speicherzelle (was der Information "1" oder "0" entspricht) via einen Strompuls einstellen und so den Speicher programmieren. Da Spin-Torque-MRAM auch eine sehr hohe Speicherdichte versprechen, wird weltweit intensiv an ihrer Entwicklung gearbeitet.

Mit diesem Ergebnis das Rennen um die beste Technologie für nichtflüchtige Arbeitsspeicher wieder offen.
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MRAM-Zelle mit einem Durchmesser von etwa 200 Nanometern