MRAM|SSD|Speicher News und Infos

Ein auf vier Jahre angelegtes gemeinsames Forschungsprogramm von IBM und TDK soll die Entwicklung von MRAM (Magnetic Random Acces Memory) voranbringen. Unter Nutzung des Spin-Momentum-Transfer-Effekts wollen die beiden Firmen dabei MRAM-Speicher mit weitaus höheren Speicherdichten als bisher entwickeln.