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Nec forscht weiter an MRAM und hat nun wieder einen Erfolg zu melden. Nikkei Electronics Asia beschreibt zwar das der Schreibstrom immer noch das groesste Problem ist.

NEC stellt ein 32-MBit-MRAM mit zwei Transistoren (T) und einer Magnetic Tunnel Junction (MTJ) pro Zelle vor (2T1MTJ), das bei 90-nm-Fertigung auf ein Die mit 91 Quadratmillimetern Fläche passt.