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TDK startet Anfang nächsten Jahres eine Massenproduktion von MRAM-Chips der nächsten Generation. Das berichten mehrere Japanische Agenturen.

Ein auf vier Jahre angelegtes gemeinsames Forschungsprogramm von IBM und TDK soll die Entwicklung von MRAM (Magnetic Random Acces Memory) voranbringen. Unter Nutzung des Spin-Momentum-Transfer-Effekts wollen die beiden Firmen dabei MRAM-Speicher mit weitaus höheren Speicherdichten als bisher entwickeln.