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Eine neue Technologie ermöglicht die weitere Miniaturisierung auf bis zu zehn Nanometer. Die neuen NAND-Flashs sollen über 100 Mio. Schreib-Lese-Zyklen überstehen.

Japanische Forscher haben eine Technologie vorgeführt, mit der NAND-Flash-Speicher über 100 Millionen Schreib-Lese-Zyklen überstehen und damit 10.000-mal mehr als bisher.
Die neue Technologie ist nach Ansicht des Teams von Shigeki Sakai vom japanischen National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) unter Mitarbeit von Wissenschaftlern der University of Tokyo auch für Strukturgrößen bis hinunter zu zehn Nanometern (nm) geeignet, während die konventionelle Technologie bei 30 nm an ihre Grenzen stößt.
Gleichzeitig wird die Spannung zur Programmierung der Speicherbausteine auf weniger als ein Drittel des aktuellen Werts reduziert.

Das Zukunftspotenzial der Technologie liegt dem AIST zufolge auch darin, dass Interferenzeffekte zwischen benachbarten Speicherelementen sinken. Die derzeitige NAND-Technologie dürfte aufgrund genau dieser und anderer Probleme nicht für Strukturgrößen unter 30 nm geeignet sein, heißt es seitens des AIST. Dagegen sei zu erwarten, dass die FeFET-NAND-Technologie als Speichermedium mit hohen Dichten und Kapazitäten in kommenden Technologie-Generationen mit Strukturgrößen von 20 nm und sogar zehn nm dienen wird.

diepresse