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Fujitsu stellte auf der IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) einen neuen Speicher Prototypen vor der den Flash Speicher verdrängen könnte.

Selbstverständlich arbeiten auch andere Firmen an dieser Technik, die eine steuerbare Änderung des Widerstands (Resistance, daher ReRAM) spezieller Materialkombinationen zur Speicherung von Informationen nutzt. Außer Fujitsu ist beispielsweise auch DRAM- und NAND-Flash-Marktführer Samsung im Rennen, der gleichzeitig auch an PRAM arbeitet. Aber auch Forscher von Matsushita, Sony, dem japanischen Forschungskonsortium Selete und dem italienischen Institut INFM-CNR sprachen auf der IEDM über ihre ReRAM- beziehungsweise RRAM-Ansätze.

Die ReRAM-Zelle von Fujitsu besteht aus einem Transistor (im Bild unten, "Tr") und einer vierlagigen Schichtstruktur, bei der zwischen zwei äußerem Platinfilmen eine Titanoxid- und eine Titan-dotierte Nickeloxidschicht liegen. Laut den Fujitsu-Forschern lässt sich diese 1T1R-Zelle innerhalb von 5 Nanosekunden löschen, der dazu nötige Strom soll weniger als 100 Mikroampere betragen; außerdem konnten sie die Schwankungen des Widerstandswertes auf ein Zehntel des bei anderen ReRAM-Zellen üblichen reduzieren.

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