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Südkorea will die Konkurrenzfähigkeit seiner Halbleiterindustrie neu ausrichten und weiterentwickeln. Die Regierung hat einen Entwicklungsplan für Speicher der nächsten Generation vorgestellt.

Ab September 2008 wollen Samsung und Hynix zusammen die Forschung und Entwicklung von STT-MRAM-Chips (spin torque transfer magnetic RAM) aufnehmen. Generell gelten MRAM auf mittlere Sicht als möglicher Ersatz für dynamische Speicherchips (DRAM). STT-MRAM sind eine Unterform, die noch höhere Packungsdichten als herkömmliche MRAM versprechen und damit letztlich kostengünstiger hergestellt werden könnten. An STT-MRAM arbeiten bereits Institutionen in den USA und Japan, so zum Beispiel die US-Firma Grandis und die japanischen Unternehmen Hitachi, Toshiba und NEC. Hynix und Grandis gaben am 1. April 2008 ein Abkommen bekannt, demzufolge das koreanische Unternehmen Patente und Urheberrechte von Grandis auf dem Gebiet von STT-RAM für eigene Speicherprodukte lizensiert.
Das STT-MRAM-Projekt des MKE startet formal 2009 und hat eine Laufzeit von vier Jahren. Die Gesamtaufwendungen belaufen sich auf 24 Milliarden Won (knapp 15 Mio. Euro, 1 Euro = 1.605 Won, 3-Monatsmittelkurs). Regierung und Privatwirtschaft kommen für die Investitionen jeweils zur Hälfte auf. Während die Gelder von Samsung und Hynix in die eigentliche Forschung und Entwicklung fließen, sind die Mittel der Regierung vor allem für die Forschungsinfrastruktur und für Ausrüstungen bestimmt.
Nach Darstellung des MKE hat der Markt für Speicherchips mit einer Linienbreite von weniger als 30 Nanometer (nm) - in diese Klasse gehören auch STT-MRAM - im Jahr 2015 ein Volumen von grob 53 Milliarden US-Dollar. Korea will sich nach Möglichkeit rund 45 Prozent daran sichern. Dies würde in etwa dem derzeitigen Anteil von Samsung und Hynix am Weltmarkt für Speicherchips entsprechen.
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