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TDK startet Anfang nächsten Jahres eine Massenproduktion von MRAM-Chips der nächsten Generation. Das berichten mehrere Japanische Agenturen.

TDK hat erst vor kurzen eine Partnerschaft mit IBM zur entwicklung von MRAM.

Die 65 Nanometer-Architektur stellt bislang eine relative Untergrenze für die Verkleinerung dieser Chips dar, weil das Größenverhältnis zwischen dem Magnetfeld, das die Informationen in einen Speicherbereich schreibt, und dem einzelnen Transistor sich zunehmend zum Problem entwickelt hat. Bei Architekturen von unter 65 Nanometern war es praktisch kaum noch möglich, Interferenzen zu benachbarten Blöcken zu verhindern. Bei Spin Torque Transfer-RAM (STT-RAM) werden einzelne Sektoren auf einige hundert Grad Celsius erhitzt und können erst dann verändert werden. Der Wirkungsbereich des Magnetfeldes lässt sich dadurch gezielter steuern.