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Toshiba vermeldet wesentliche Fortschritte bei der Entwicklung von "Magnetoresistive Random Access Memory" (MRAM), das als potenzieller Nachfolger für DRAM und Flash-Speicher gehandelt wird. Anstelle einer elektrischen Speicherung wie bei DRAM und SRAM tritt bei MRAM eine magnetische Speicherung, ähnlich wie bei Festplatten. Die Technik verspricht hohe Speicherdichte und -geschwindigkeit bei geringem Stromverbrauch und hält ihre Daten auch ohne Stromzufuhr.

Der MRAM-Chip von Toshiba nutzt für die Erhöhung der Datendichte Perpendicular Magnetic Anisotropy (PMA). Spin Transfer Switching verringert die zum Schalten notwendige Ladung. Ein Toshiba-Sprecher sagte, man habe auch Probleme mit dem Schnittstellenprozess und dem Stromverbrauch beim Schreiben der Daten überwunden. Zudem seien Materialien und Struktur optimiert worden, was eine Reduktion der Größe des Chips erlaubt habe.