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DDR3-SDRAM ist eine Weiterentwicklung des Konzeptes von DDR2-SDRAM bei dem statt mit einem Vierfach-Prefetch mit einem Achtfach-Prefetch gearbeitet wird.

Die neuen Chips mit einer Kapazität von 512 MBit sollen Daten mit 8500 MBps verarbeiten und damit deutlich schneller sein als heutiges DDR-400 oder auch DDR2-667 SDRAM. Allerdings wird die CAS-Latenz höher sein. Darüber hinaus benötigt DDR3-SDRAM auch nur noch 1,5 Volt und ist damit gerade für den mobilen Einsatz besser geeignet, bei dem es auf lange Batterielaufzeiten ankommt. DDR3-SDRAM wird seit dem 5. Juli 2006 bei Samsung in 80 nm Prozesstechnologie hergestellt und wird im Laufe des Jahres 2007 auf dem Markt erhältlich sein. Man erwartet, dass sich die neue Speichergeneration auch bis spätestens 2007 durchgesetzt hat und bis 2009 einen Marktanteil von 65 % am gesamten DRAM-Markt erreichen wird.